Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构

Nand Flash的物理存储单元的阵列组织结构

Nand flash的内部组织结构，此处还是用图来解释，比较容易理解：

图2.Nand Flash物理存储单元的阵列组织结构

上图是AFND1G08U3的datasheet中的描述。

简单解释就是:

1.一个nand flash由很多个块（Block）组成，

块的大小一般是

-> 128KB，

-> 256KB，

-> 512KB

此处是128KB。

2.每个块里面又包含了很多页（page）。每个页的大小，

老的nand flash，页大小是256B，512B，

这类的nand flash被称作small block，。地址周期只有4个。

对于现在常见的nand flash多数是2KB，

被称作big block，对应的发读写命令地址，一共5个周期(cycle)，

更新的nand flash是4KB，

块，也是Nand Flash的擦除操作的基本/最小单位。

3.每一个页，对应还有一块区域，叫做空闲区域（spare area）/冗余区域（redundant area），而Linux系统中，一般叫做OOB（Out Of Band），这个区域，是最初基于Nand Flash的硬件特性：数据在读写时候相对容易错误，所以为了保证数据的正确性，必须要有对应的检测和纠错机制，此机制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC（Error Code Correction,或者Error Checking and Correcting），所以设计了多余的区域，用于放置数据的校验值。

页, 是Nand Flash的写入操作的基本/最小的单位。

【Nand Flash数据存储单元的整体架构】

简单说就是，常见的nand flash，内部只有一个chip，每个chip只有一个plane。

而有些复杂的，容量更大的nand flash，内部有多个chip，每个chip有多个plane。这类的nand flash，往往也有更加高级的功能，比如Multi Plane Program和Interleave Page Program等。

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