10nm技术节点大战

本文以材料分析角度，探讨在iPhone 8的Bionic与Galaxy S8的Exynos8895芯片中SRAM区域与FinEFT工艺的差别，并分析技术呈现纳米级尺寸及其选用材料的差异，进一步了解台积电与三星的10nm工艺。 智能手机的普及，大大地改变了现代人们的生活方式，言犹在耳的那句广告词——“科技始终来自于人性”依旧适用，人们对于智能手机的要求一直是朝向更好、更快以及更省电的目标。就像2015年发生的iPhone 6芯片门事件，每个苹果(Apple)产品的消费者一拿到手机时，都迫不及待地想要知道自己的手机采用的是台积电(TSMC，16nm)或是三星(SAMSUNG，14nm)的芯片。 这场战役两家大厂互有消长，首先是三星的14nm较台积电的16nm抢先半年投入量产，因两家大厂的鳍式晶体管(FinFET)设计也确有雷同之处，后续又衍生了竞业禁止官司诉讼等故事，无论如何，最终台积电还是以些许性能优势击败三星，并使其16nm工艺于隔年独拿了Apple的A10处理器(iPhone 7)订单。 2017年，三星卷土重来，自主设计了10nm技术工艺的Exynos8895(名称源于希腊单词Exypnos和Prasinos，分别意为智能和环保)，搭载于自家旗舰机Galaxy S8上，宣称与上一代14nm工艺相较性能提高了27%、功耗降低40%。另一方面，台积电的10nm产品A11 Bionic于今年iPhone 8发表会上亮相，Apple副总裁Phil Schiller对该芯片做了短短一句评价：“智能手机历来最强大、最智能的芯片”(The most powerful and smartest chip ever in a smartphone)。 于此人们又有新的议题可以讨论，两家世界级半导体厂究竟在新的10nm世代孰强孰弱呢？众多的分析平台都针对两家的产品进行了评比，例如，图1是知名跑分评测网站Geekbench针对两家芯片进行的比较，我们可以看到台积电的A11芯片性能分数，无论是单核心的4216分或多核心的10101分，分别都优于三星Exynos8895的1957与6433分，后续亦有许多文章或平台以各种数据说明两家大厂产品的规格品项差异。       深圳雷龙发展有限公司从事NANDFLASH行业10+年.目前代理ATO Solution小容量SLC NAND,SPI NAND,MCP;大容量NAND Flash, eMMC, eMCP, SSD等。想了解更多请咨询QQ：2852826868；电话13691982107