通富微电扩资10亿

12月9日，通富微电发布最新公告。在这份公告中公司表示，包括基本建设、动力设备和生产设备在内，将投入10亿元资金用于启动三期工程以及扩建二期工程。

其中，三期工程建筑面积约2.6万平方米，二期扩建工程建筑面积约1万平方米。建设完成后将用于8英寸、12英寸NEW-WLP、BUMP新型LED控制器封装的研究开发及其量产，以及BGA、FCBGA、QFN、LQFP产品的扩产。上述产品将应用于3G手机、移动电视等领域。整个项目将分三年实施。

至于启动本次大规模投资的原因，通富微电表示，半导体行业将在明年进入景气周期，公司需要抓住此次发展机遇，以扩大生产规模、调整产品结构；而公司目前厂房即将饱和，因此进行后续扩产相当必要。

有分析师表示，由于建设期长达三年，通富微电本次投资短期内对公司不会产生影响；不过该举动却意味着，电子元器件行业向好趋势已获得企业内部认可。

另外，通富微电在10日发布公告称，公司与富士通微电子签署了《BUMP生产线转移合作意向书》，LED控制器富士通微电子将向公司转移8寸圆片BUMP集成电路封装生产线。公司表示，此次转移的BUMP生产线在正常量产情况下，将为公司每年新增约240万美元的销售收入。